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光罩/倍縮光罩. (Mask). 曝光. Exposure. 顯影. Development. 紫外光. 負光阻. 基片. 正光 ... ▫ 更大的透鏡, 可能太貴或是不實際. ▫ 減少DOF 及造成製程困難度. ▫ 降低 ...

光罩的讀寫時間(Writing Time)亦增加了. 數倍，因而影響光罩的交期，而光罩交. 期通常也是影響客戶產品上市的關鍵因. 素之一。 隨著晶片設計準則(Design Rules)縮. 小到 ...

2019年12月16日 — 如同所有倍縮光罩一樣，運用在EUV微影技術上的倍縮光罩也須仰賴倍縮光罩傳送盒，以利安全存放，並於微影圖案成形、檢查、清潔與修復期間發揮保護作用。

倍縮光罩（Reticle）：在投影式光刻機中，掩模作為一個光學元件位於會聚透鏡 ... 掩模上的圖形縮小4~10倍（現代光刻機一般都是縮小4倍）後透射在晶圓表面。為了區別接觸 ...

倍縮光罩（Reticle）：在投影式光刻机中，掩模作为一个光学元件位于会聚透镜 ... 掩模上的图形缩小4~10倍（现代光刻机一般都是缩小4倍）后透射在晶圆表面。为了区别接触 ...

光罩/倍縮光罩. 曝光. 經顯影. 負光阻. 紫外光. 正光阻. 基片. 基片. 基片. 光阻. 負光阻及 ... – 更大的透鏡, 可能太貴或是不實際. – 減少DOF 及造成製程困難度. • 降低波長.

由 吳政三 著作 · 2012 — 是當線寬越來小時，光罩的製作相對會較容易，且光罩. 上的誤差也會相對被縮小，這種形式的光罩被稱為倍縮. 光罩(Reticle)。步進式曝光機每次曝光時僅在晶圓上的局. 部區域 ...

由 吳國裕 著作 · 2007 · 被引用 1 次 — ... 倍縮投影（M X 1）方. 式，但基於光罩製作技術與成本考量，多採用倍縮投影方式，原是將光罩（Reticle）. 上圖案經由透鏡組以M：1 倍縮的方式轉移到晶圓 ...