〈全新展望〉布局第三代半導體專注RF應用已穩定小量出貨 | 台灣上市公司查詢站

全新光電基於世界水準之MOCVD化合物半導體磊晶核心技術，提供各式特殊材料規格及元件結構的客製結構磊晶代工服務，並以齊全的驗證設備及製程，除能保障磊晶材料品質外，更 ...

Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體具備高工作頻率、低雜訊、抗輻射、能源效率佳、材料選擇性廣，電子移動速度快等優點，而發展為近年無線通訊、光纖通訊之關鍵組件。 全新光電秉持「創新 ...

Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體具備電子移動速度快、高工作頻率、高功率、低雜訊、材料選擇性廣、抗輻射、能源轉換效率佳等優點，而發展為適用於無線通訊、光纖通訊、多接面太陽能 ...

2024年1月12日 — 公司以MOCVD為核心技術生產Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體磊晶片，主要產品為微波通訊產品及光電子產品，Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體具備高工作頻率、低雜訊、抗天然 ...

2023年11月28日 — 半導體先進製程前驅物供應商宇川精密材料總經理郭文哲表示，「全新是肯花錢做研發的公司，台灣這種公司已經很少了，」許多新化學材料的合成和開發，就像 ...

2021年10月21日 — 砷化鎵磊晶廠全新(2455-TW) 搶攻第三代化合物半導體商機，延續第二代化合物半導體優勢，將營運重點擺在RF 射頻應用，終端應用涵蓋國防、基地台等， ...

Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體具備高工作頻率、低雜訊、抗輻射、能源效率佳、材料選擇性廣，電子移動速度快等優點，而發展為近年無線通訊、光纖通訊之關鍵組件。 全新光電秉持「創新 ...

由 鄧祥寧 著作 · 2021 — 本文簡述寬能隙半導體材料氮化鎵與碳化矽基本特性及應用範圍，並解析國內外市場應用現況、發展趨勢與未來展望。

全新光電科技股份有限公司,化合物半導體磊晶片製造1.異質接面雙載子電晶體（HBT）磊晶片。2.假晶高電子遷移率電晶體（PHEMT）磊晶片。3.磷化銦異質接面雙載子電 ...